硅之外的选择：非硅基材料如何推动半导体创新？
摩尔定律面临失效，非硅基材料突破一大方向。通过探索新的材料，可以进一步提高器件的性能并满足未来对更小、更快和更强大器件的需求。但尚有技术性能、制造工艺、成本控制等挑战。
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宽禁带
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GaN助力打造更加高效、稳健的系统
GaN功率器件超越了传统的硅基技术，具有更高的效率、更低的开关损耗和更快的速度。GaN卓越的性能和稳健性正在为电动车充电桩和工业自动化等应用中的电力电子技术带来革命性的变化。
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突破硅基限制：WBG如何颠覆未来能源技术
在硅统治半导体领域数十年之后，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等为代表的非硅基的第三代半导体正在悄然颠覆我们对电子设备性能的认知，开启一场硅基技术的突破之旅。
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用于汽车负载应用的上桥 SmartFET 驱动器
上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样，SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可靠的应用方案，延长了器件本身及其所保护的应用负载的使用寿命。
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SiC模块加速大功率能源基础设施设计
硅MOSFET相比，碳化硅 (SiC) MOSFET在电气和热性能方面具有优势，因而越来越多地用于大功率应用，如电动车直流快充。无论工作在怎样的环境中，充电基础设施都必须高度可靠，尤其是在空间和散热条件受限的情况下。本文将阐述SiC MOSFET模块如何帮助设计工程师克服这些限制。
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沟槽就是战壕：英飞凌碳化硅CoolSiC™
SiC 具有两种不同的结构类型：沟槽MOS和平面DMOS。英飞凌正在推动卓越的沟槽技术并且方便的应用到相关领域中，在保持可靠性的同时降低功耗。
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GaN这只“螃蟹''，TI教你怎么吃！
GaN被认为是下一代电源应用的新器件。作为第三代宽带隙半导体材料中的代表，GaN器件与硅器件相比，有无法比拟的优势。
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